@article{Martínez Velásquez_Rodríguez Martínez_2018, place={Bogotá, Colombia}, title={Propiedades electrónicas y estructurales del Ga1-xCrxAs}, volume={42}, url={https://raccefyn.co/index.php/raccefyn/article/view/516}, DOI={10.18257/raccefyn.516}, abstractNote={Mediante el uso de principios basados en la teoría del funcional de la densidad - DFT (Density Functional Theory) se calcularon las propiedades electrónicas y estructurales del compuesto Ga1-xCrxAs. Empleando el método de ondas planas y la aproximación de pseudopotenciales atómicos ultra suaves se resolvieron las ecuaciones de Kohn-Sham. Para la energía de intercambio y correlación se empleó la aproximación de gradiente generalizado, dentro de la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) tal como está implementada en el código computacional Quantum-Espresso. Al dopar GaAs con impurezas de Cr, el sistema exhibe un comportamiento tipo half-metallic. Dicho material puede ser usado en espintrónica. © 2018. Acad. Colomb. Cienc. Ex. Fis. Nat.}, number={162}, journal={Revista de la Academia Colombiana de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales}, author={Martínez Velásquez, Nasly Y. and Rodríguez Martínez, Jairo Arbey}, year={2018}, month={abr.}, pages={26–31} }